Micron вложит $9,2 млрд в выпуск HBM-памяти в Японии

Американская компания Micron Technology намерена расширить производство высокоскоростной памяти HBM (High Bandwidth Memory) в Японии. Объём инвестиций в комплекс в Хиросиме составит около $9,2 млрд. Этот шаг связан с растущим спросом на память для систем искусственного интеллекта и графических ускорителей.

HBM используется в современных ИИ-ускорителях благодаря высокой пропускной способности, низким задержкам и энергоэффективности. Именно этот тип памяти стал одним из ключевых драйверов роста полупроводниковой отрасли — от него напрямую зависит производительность вычислительных кластеров для обучения и работы нейросетей.

Расширение в Хиросиме позволит начать поставки продукции нового поколения во второй половине 2028 года. Частично проект профинансирует японское правительство: Министерство экономики, торговли и промышленности рассматривает субсидию в размере около $3,1 млрд. Это часть стратегии по укреплению национальной полупроводниковой базы за счёт привлечения глобальных производителей.

Комплекс в Хиросиме уже является одним из ключевых узлов Micron по выпуску DRAM. Ранее на нём внедрили EUV-литографию, что позволило перейти на более продвинутый технологический узел 1-gamma. Новое расширение надстраивается над уже созданной платформой и повышает стратегическое значение площадки в глобальной сети компании.

Micron применяет модель распределённого производства, чтобы быстрее наращивать мощности и снижать зависимость от одной площадки. Это позволяет гибко реагировать на колебания рынка памяти.

Рынок HBM остаётся одним из самых конкурентных. Сейчас лидирует SK hynix, поставляющая память для ускорителей Nvidia. Samsung Electronics также активно наращивает выпуск. Micron постепенно увеличивает долю рынка — по оценкам, компания может занять около четверти рынка HBM, если инвестиционные планы будут реализованы в полном объёме.