Китайская CXMT разработала технологию DRAM без дорогого EUV-оборудования
Китайская компания CXMT (ChangXin Memory Technologies) объявила о начале разработки DRAM нового поколения. В основе технологии лежит метод гибридного соединения пластин (Wafer-to-Wafer Hybrid Bonding). Это решение позволяет отказаться от традиционных микроконтактов, соединяя две кремниевые пластины напрямую.
За счёт прямого соединения удаётся сократить длину электрических соединений. Это снижает энергопотребление и задержки, а также даёт возможность разместить больше ячеек памяти на той же площади кристалла. Таким образом, плотность памяти и производительность растут без применения дорогого западного оборудования – литографов с экстремальным ультрафиолетом (EUV).
Сообщается, что CXMT уже испытывает технологию на пилотной линии в Хэфэе. Кроме того, компания разделяет производство массива ячеек памяти и управляющей логики на разные пластины. Для каждого компонента можно использовать различные техпроцессы, что повышает общую эффективность выпуска.
Ранее появлялась информация, что Apple рассматривает CXMT в качестве одного из поставщиков DRAM. Главная причина – не стоимость памяти, а стремление диверсифицировать цепочку поставок. Рынок DRAM испытывает дефицит из-за высокого спроса со стороны дата-центров для искусственного интеллекта, и альтернативные источники становятся особенно актуальными.
Разработка CXMT демонстрирует, как китайские производители полупроводников ищут пути обхода технологических ограничений. Использование гибридного соединения пластин позволяет выпускать конкурентоспособную память без передовых литографов, что может изменить расстановку сил на рынке.
