Южная Корея вложит $500 млн в чипы из карбида кремния и нитрида галлия

Южная Корея делает ставку на новый перспективный сегмент полупроводников. Как сообщает издание IXBT, правительство страны планирует инвестировать около 500 миллионов долларов в разработку и производство чипов на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN). Эти материалы считаются золотой жилой после традиционной памяти DRAM.

Карбид кремния и нитрид галлия — это широкозонные полупроводники. Они выдерживают более высокие напряжения, температуры и частоты, чем обычный кремний. Это делает их идеальными для силовой электроники, например, инверторов электромобилей, зарядных станций и блоков питания. Кроме того, GaN активно используется в 5G-связи и радиочастотных усилителях.

Корея традиционно сильна в производстве памяти DRAM и NAND, но рынок силовых и радиочастотных чипов сейчас бурно растёт. Инвестиции в SiC и GaN позволят стране диверсифицировать полупроводниковую отрасль и занять место в новой технологической нише. По данным источника, корейские компании уже имеют опыт в этой области, но требуются масштабные вложения для наращивания мощностей.

Эксперты отмечают, что глобальный рынок SiC и GaN может достичь десятков миллиардов долларов в ближайшие годы. Китай, США и Европа также активно инвестируют в эти материалы. Корейская программа направлена на создание собственной цепочки поставок — от сырья до готовых чипов.

Конкретные компании-участники пока не названы, но ожидается, что средства пойдут на научно-исследовательские работы, строительство заводов и подготовку кадров. Реализация проекта рассчитана на несколько лет. Если всё пойдёт по плану, Южная Корея сможет предложить миру конкурентные силовые чипы и снизить зависимость от импорта.